| 專利技術摘要 |
本發明第一較佳實施例之利用二極體之順向偏壓I-V特性曲線取得其參數之方法包含：量測二極體之順向偏壓I-V特性曲線；利用 模型函數獲得 模型函
數，以提供F(I)-I圖，以便由該F(I)-I圖取得二極體參數之 、R、n；其中r為可調變數，且將r調整至等於n，即n=r，並獲得 方程式；當I=0時，取得 ；R由F(I)之斜率〔R/n〕
取得。本發明第二較佳實施例之方法包含：建立 模
型函數；在建立 模型函數時，進一步獲得 模型函數，以提供F(I)-I圖；將r調整至
等於二極體參數之n，以取得 方程式；其中n等於r；
當I=0時，取得 ；R由F(I)之斜率〔R/n〕取得。
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