| 專利技術摘要 |
本發明第一較佳實施例之利用二極體之逆向偏壓I-V特性曲線取得其參數之方法包含：量測二極體之逆向偏壓I-V特性曲線；
利用 模型函數，以取得二極體參數之 、R、n；其中r為可調變數，且將r調整至等於n，即n=r，並
獲得 RI方程式；當I=0時，取得 ；R由F(I)之斜率
〔(1/r-1)R〕取得。本發明第二較佳實施例之利用二極體之逆向偏壓I-V特性曲線取得其參數之方法包含：建立 RI模型函數；將r調整至等於二極體參
數之n，以獲得 RI方程式，且取得二極體參數之n=r；其中自F(I)方程式取得二極體參數之 及R。
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